1
$1.6000
$1.6000
10
$1.3100
$13.1000
100
$1.0200
$102.0000
500
$0.8600
$430.0000
1000
$0.7000
$700.0000
2500
$0.6600
$1,650.0000
5000
$0.6300
$3,150.0000
12500
$0.6000
$7,500.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 10A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 10A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 300 pF @ 20 V |
