| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | DISCONTINUED |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 33A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 33A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 9mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -5V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11.6 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1200 pF @ 20 V |
