1
$8.9900
$8.9900
10
$7.7100
$77.1000
100
$6.4200
$642.0000
500
$5.6700
$2,835.0000
1000
$5.1000
$5,100.0000
2000
$4.7800
$9,560.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 90A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 29A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 14mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1650 pF @ 40 V |
