1
$3.7500
$3.7500
10
$3.1500
$31.5000
100
$2.5500
$255.0000
500
$2.2600
$1,130.0000
1000
$1.9400
$1,940.0000
2500
$1.8200
$4,550.0000
5000
$1.7500
$8,750.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 16A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 16A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 6.5 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 685 pF @ 50 V |
