| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | DISCONTINUED |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 9.5A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 300pF @ 40V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
