+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC2107
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC2107
EPC2107
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
EPC2107
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
EPC
GANFET 3 N-CH 1
-
Лента и катушка (TR)
11902
1
: $0.8500
: 11902

1

$1.4200

$1.4200

10

$1.1800

$11.8000

100

$0.9400

$94.0000

500

$0.8500

$425.0000

2500

$0.8500

$2,125.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC2107
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC2107
EPC2107
-
EPC
GANFET 3 N-CH 1
-
Лента и катушка (TR)
11902
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC
РядeGaN®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс9-VFBGA
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Рабочая Температура-40°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)100V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C1.7A, 500mA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Пакет устройств поставщика9-BGA (1.35x1.35)
captcha

+86-15869849588
0