1
$1.7600
$1.7600
10
$1.4600
$14.6000
100
$1.1600
$116.0000
500
$0.9800
$490.0000
2500
$0.7900
$1,975.0000
5000
$0.7600
$3,800.0000
12500
$0.7400
$9,250.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 9-VFBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60V, 100V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 1.7A, 500mA |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Пакет устройств поставщика | 9-BGA (1.35x1.35) |
