+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2212
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC2212
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC
GANFET N-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
160197
1
: $1.3300
: 160197

1

$1.9900

$1.9900

10

$1.6800

$16.8000

100

$1.3500

$135.0000

500

$1.3300

$665.0000

2500

$1.3300

$3,325.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2212
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2212
EPC2212
-
EPC
GANFET N-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
160197
YES
EPC2212
宜普-EPC
200 V, 162 A增强型功率晶体管
EPC2212
宜普-EPC
面向车载应用的15 V、28 A增强型氮化镓功率晶体管
EPC2212
宜普-EPC
65 V, 0.5 A增强型功率晶体管
EPC2212
宜普-EPC
EPC2218A: Automotive 80 V, 231 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC2212
宜普-EPC
100 V, 231 A增强型功率晶体管
EPC2212
宜普-EPC
面向车载应用的80 V、47 A增强型氮化镓功率晶体管
EPC2212
宜普-EPC
面向车载应用的100 V、75 A增强型氮化镓功率晶体管
EPC2212
宜普-EPC
242767
EPC2212
宜普-EPC
242768
EPC2212
宜普-EPC
242769
EPC2212
宜普-EPC
242770
EPC2212
宜普-EPC
242771
EPC2212
宜普-EPC
242772
EPC2212
宜普-EPC
242773
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC
РядeGaN®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаNOT_FOR_NEW_DESIGNS
Пакет/кейсDie
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-40°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C18A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 3mA
Пакет устройств поставщикаDie
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs4 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds407 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0