1
$1.7900
$1.7900
10
$1.4900
$14.9000
100
$1.1800
$118.0000
500
$1.0000
$500.0000
1000
$0.8500
$850.0000
2500
$0.8100
$2,025.0000
5000
$0.7800
$3,900.0000
12500
$0.7500
$9,375.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 8.2A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 11A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 576 pF @ 50 V |
