+86-15869849588
EPC7007BC
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
EPC7007BC
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT200
-
Масса
6605
: $316.8000
: 6605

1

$316.8000

$316.8000

10

$296.7200

$2,967.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7007BC
EPC7007BC
-
EPC Space
GAN FET HEMT200
-
Масса
6605
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
Рядe-GaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C18A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 3mA
Пакет устройств поставщика4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs5.4 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds525 pF @ 100 V
captcha

+86-15869849588
0