+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
EPC7014UBC
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
EPC7014UBC
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT 60
-
Масса
6582
: $192.3400
: 6582

1

$192.3400

$192.3400

10

$180.1500

$1,801.5000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
EPC7014UBC
-
EPC Space
GAN FET HEMT 60
-
Масса
6582
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
Рядe-GaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 140µA
Пакет устройств поставщика4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+7V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds22 pF @ 30 V
captcha

+86-15869849588
0