+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7018GC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7018GC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7018GC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7018GC
EPC7018GC
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
EPC7018GC
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT 10
-
Масса
6508
: $316.8000
: 6508

1

$316.8000

$316.8000

10

$296.7200

$2,967.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7018GC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7018GC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7018GC
EPC7018GC
-
EPC Space
GAN FET HEMT 10
-
Масса
6508
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
РядeGaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс5-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C80A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs6mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 12mA
Пакет устройств поставщика5-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs11.7 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1240 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0