+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7019GC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7019GC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7019GC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7019GC
EPC7019GC
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
EPC7019GC
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT 40
-
Масса
6595
: $316.8000
: 6595

1

$316.8000

$316.8000

10

$296.7200

$2,967.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7019GC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7019GC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7019GC
EPC7019GC
-
EPC Space
GAN FET HEMT 40
-
Масса
6595
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
РядeGaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс5-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C80A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 18mA
Пакет устройств поставщика5-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2830 pF @ 20 V
captcha

+86-15869849588
0