+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N08AC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N08AC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N08AC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N08AC
FBG04N08AC
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
FBG04N08AC
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT 40
-
Масса
6666
: $287.7600
: 6666

1

$287.7600

$287.7600

10

$269.5200

$2,695.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N08AC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N08AC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N08AC
FBG04N08AC
-
EPC Space
GAN FET HEMT 40
-
Масса
6666
NO
Параметры продукции 
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 2mA
Пакет устройств поставщика4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.8 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds312 pF @ 20 V
captcha

+86-15869849588
0