+86-15869849588
FBG10N05ASH
GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
FBG10N05ASH
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT 10
-
Масса
6549
: $392.7500
: 6549

1

$392.7500

$392.7500

10

$377.9900

$3,779.9000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG10N05ASH
FBG10N05ASH
-
EPC Space
GAN FET HEMT 10
-
Масса
6549
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
РядeGaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs45mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 1.2mA
Пакет устройств поставщика4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.2 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds233 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0