+86-15869849588
FBG20N04ASH
GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
FBG20N04ASH
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT 20
-
Масса
6525
: $392.7500
: 6525

1

$392.7500

$392.7500

10

$377.9900

$3,779.9000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N04ASH
FBG20N04ASH
-
EPC Space
GAN FET HEMT 20
-
Масса
6525
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
Рядe-GaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs130mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 1mA
Пакет устройств поставщика4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs3 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds150 pF @ 100 V
captcha

+86-15869849588
0