+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BC
FBG20N18BC
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
FBG20N18BC
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT200
-
Масса
6562
: $287.7600
: 6562

1

$287.7600

$287.7600

10

$269.5200

$2,695.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BC
FBG20N18BC
-
EPC Space
GAN FET HEMT200
-
Масса
6562
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C18A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 3mA
Пакет устройств поставщика4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs6 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds900 pF @ 100 V
captcha

+86-15869849588
0