+86-15869849588
FBG30N04CSH
GANFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
FBG30N04CSH
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
EPC Space
GANFET 2N-CH 30
-
Масса
6550
: $421.3000
: 6550

1

$421.3000

$421.3000

10

$405.4600

$4,054.6000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>FBG30N04CSH
FBG30N04CSH
-
EPC Space
GANFET 2N-CH 30
-
Масса
6550
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
РядeGaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)300V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds450pF @ 150V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs404mOhm @ 4A, 5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.6nC @ 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 600µA
Пакет устройств поставщика4-SMD
captcha

+86-15869849588
0