+86-15869849588
  • image of БТИЗ-модули>FS50R07N2E4BOSA1
  • image of БТИЗ-модули>FS50R07N2E4BOSA1
FS50R07N2E4BOSA1
IGBT MODULE 650V 70A 190W
FS50R07N2E4BOSA1
БТИЗ-модули
IR (Infineon Technologies)
IGBT MODULE 650
-
Поднос
6780
: $15.3500
: 6780

40

$15.3500

$614.0000

image of БТИЗ-модули>FS50R07N2E4BOSA1
image of БТИЗ-модули>FS50R07N2E4BOSA1
FS50R07N2E4BOSA1
-
IR (Infineon Technologies)
IGBT MODULE 650
-
Поднос
6780
NO
FS50R07N2E4BOSA1
英飞凌-Infineon
IGBT模块
FS50R07N2E4BOSA1
英飞凌-Infineon
IGBT模块
FS50R07N2E4BOSA1
英飞凌-Infineon
288758
FS50R07N2E4BOSA1
英飞凌-Infineon
288759
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядEconoPACK™ 2
УпаковкаПоднос
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсModule
Тип монтажаChassis Mount
ВходStandard
КонфигурацияFull Bridge Inverter
Рабочая Температура-40°C ~ 125°C
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 50A
НТЦ-термисторYes
Пакет устройств поставщикаModule
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)70 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)650 V
Мощность - Макс.190 W
Ток-отсечка коллектора (макс.)1 mA
Входная емкость (Cies) при Vce3.1 nF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0