+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G08N02H
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G08N02H
G08N02H
N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
G08N02H
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
N20V, 12A, RD<1
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.1000
: 6500

2500

$0.1000

$250.0000

5000

$0.1000

$500.0000

12500

$0.0900

$1,125.0000

25000

$0.0900

$2,250.0000

62500

$0.0800

$5,000.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G08N02H
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G08N02H
G08N02H
-
Goford Semiconductor
N20V, 12A, RD<1
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-261-4, TO-261AA
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs11.3mOhm @ 1A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.7W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id900mV @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-223
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)±12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)20 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs12.5 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1255 pF @ 10 V
captcha

+86-15869849588
0