+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G09N06S2
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G09N06S2
G09N06S2
MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
G09N06S2
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Goford Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60
-
Лента и катушка (TR)
10500
1
: $1.0300
: 10500

1

$1.0300

$1.0300

10

$0.8500

$8.5000

100

$0.6600

$66.0000

500

$0.5600

$280.0000

1000

$0.4500

$450.0000

2000

$0.4300

$860.0000

4000

$0.4300

$1,720.0000

8000

$0.4100

$3,280.0000

12000

$0.3900

$4,680.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G09N06S2
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G09N06S2
G09N06S2
-
Goford Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60
-
Лента и катушка (TR)
10500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.2.6W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)60V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C9A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2180pF @ 30V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs47nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SOP
captcha

+86-15869849588
0