+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G180N06S2
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G180N06S2
G180N06S2
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
G180N06S2
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Goford Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60
-
Лента и катушка (TR)
46500
1
: $0.2700
: 46500

4000

$0.2700

$1,080.0000

16000

$0.2500

$4,000.0000

32000

$0.2200

$7,040.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G180N06S2
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G180N06S2
G180N06S2
-
Goford Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60
-
Лента и катушка (TR)
46500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.2W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)60V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C8A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2330pF @ 30V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs20mOhm @ 6A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs58nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SOP
captcha

+86-15869849588
0