+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G1K1P06LH
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G1K1P06LH
G1K1P06LH
MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
G1K1P06LH
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 60
-
Лента и катушка (TR)
9500
1
: $0.0900
: 9500

1

$0.4100

$0.4100

10

$0.2900

$2.9000

100

$0.1500

$15.0000

500

$0.1300

$65.0000

1000

$0.1000

$100.0000

3000

$0.0900

$270.0000

6000

$0.0900

$540.0000

9000

$0.0800

$720.0000

30000

$0.0800

$2,400.0000

75000

$0.0700

$5,250.0000

150000

$0.0600

$9,000.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G1K1P06LH
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G1K1P06LH
G1K1P06LH
-
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 60
-
Лента и катушка (TR)
9500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs110mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs11 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds970 pF @ 30 V
captcha

+86-15869849588
0