+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G220P03D32
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G220P03D32
G220P03D32
MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-
G220P03D32
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Goford Semiconductor
MOSFET P+P-CH 3
-
Лента и катушка (TR)
11460
1
: $0.1900
: 11460

1

$0.5900

$0.5900

10

$0.5100

$5.1000

100

$0.3500

$35.0000

500

$0.2700

$135.0000

1000

$0.2200

$220.0000

2000

$0.2000

$400.0000

5000

$0.1900

$950.0000

10000

$0.1800

$1,800.0000

25000

$0.1700

$4,250.0000

50000

$0.1700

$8,500.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G220P03D32
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>G220P03D32
G220P03D32
-
Goford Semiconductor
MOSFET P+P-CH 3
-
Лента и катушка (TR)
11460
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerVDFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 P-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.30W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1305pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs22mOhm @ 3A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-DFN (3.15x3.05) Dual
captcha

+86-15869849588
0