+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3K8N15HE
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3K8N15HE
G3K8N15HE
MOSFET N-CH ESD 150V 2A SOT-223
G3K8N15HE
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH ESD
-
Лента и катушка (TR)
11500
1
: $0.1100
: 11500

2500

$0.1100

$275.0000

15000

$0.1000

$1,500.0000

30000

$0.0900

$2,700.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3K8N15HE
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3K8N15HE
G3K8N15HE
-
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH ESD
-
Лента и катушка (TR)
11500
YES
G3K8N15HE
谷峰-GOFORD
Trench Mosfet
G3K8N15HE
谷峰-GOFORD
492623
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-261-4, TO-261AA
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C2A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs370mOhm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2.16W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-223
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)150 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs20 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds558 pF @ 75 V
captcha

+86-15869849588
0