+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R160MT17J
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R160MT17J
G3R160MT17J
SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
G3R160MT17J
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH
-
Трубка
6500
1
: $9.6500
: 6500

1000

$9.6500

$9,650.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R160MT17J
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R160MT17J
G3R160MT17J
-
GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH
-
Трубка
6500
YES
G3R160MT17J
基因碳化硅-GeneSiC
SiC MOSFET
G3R160MT17J
基因碳化硅-GeneSiC
SiC MOSFET
G3R160MT17J
基因碳化硅-GeneSiC
297350
G3R160MT17J
基因碳化硅-GeneSiC
297352
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
РядG3R™, LoRing™
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C18A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs224mOhm @ 10A, 15V
Рассеиваемая мощность (макс.)187W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.7V @ 5mA
Пакет устройств поставщикаTO-263-7
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)15V
ВГС (Макс)±15V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1700 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs29 nC @ 15 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds854 pF @ 1000 V
captcha

+86-15869849588
0