1
$17.4200
$17.4200
10
$15.9000
$159.0000
25
$15.3300
$383.2500
100
$14.5200
$1,452.0000
250
$14.0000
$3,500.0000
500
$13.6200
$6,810.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Ряд | G3R™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 71A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 35A, 15V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 333W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.69V @ 10mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 15V |
| ВГС (Макс) | ±15V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 106 nC @ 15 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2929 pF @ 800 V |
