+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R75MT12K
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R75MT12K
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R75MT12K
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R75MT12K
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
G3R75MT12K
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH
-
Трубка
7206
1
: $10.7700
: 7206

1

$10.7700

$10.7700

10

$9.7100

$97.1000

25

$9.3100

$232.7500

100

$8.7500

$875.0000

250

$8.3900

$2,097.5000

500

$8.1400

$4,070.0000

1000

$7.8900

$7,890.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R75MT12K
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R75MT12K
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R75MT12K
G3R75MT12K
-
GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH
-
Трубка
7206
YES
G3R75MT12K
基因碳化硅-GeneSiC
SiC MOSFET
G3R75MT12K
基因碳化硅-GeneSiC
SiC MOSFET
G3R75MT12K
基因碳化硅-GeneSiC
SiC MOSFET
G3R75MT12K
基因碳化硅-GeneSiC
407584
G3R75MT12K
基因碳化硅-GeneSiC
407585
G3R75MT12K
基因碳化硅-GeneSiC
407586
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
РядG3R™
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-4
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C41A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs90mOhm @ 20A, 15V
Рассеиваемая мощность (макс.)207W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.69V @ 7.5mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-4
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)15V
ВГС (Макс)+22V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs54 nC @ 15 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1560 pF @ 800 V
captcha

+86-15869849588
0