5000
$0.8400
$4,200.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 4-SIP, GBJ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип диода | Single Phase |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | Standard |
| Пакет устройств поставщика | GBJ |
| Напряжение — пиковое обратное (макс.) | 1 kV |
| Ток – средний выпрямленный (Io) | 25 A |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 1.05 V @ 12.5 A |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
