| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 4-SIP, GBL |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип диода | Single Phase |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | Standard |
| Пакет устройств поставщика | GBL |
| Напряжение — пиковое обратное (макс.) | 800 V |
| Ток – средний выпрямленный (Io) | 2.6 A |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 1 V @ 4 A |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 5 µA @ 800 V |
