+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GC11N65M
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GC11N65M
GC11N65M
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
GC11N65M
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
10500
1
: $0.8300
: 10500

1600

$0.8300

$1,328.0000

8000

$0.7900

$6,320.0000

16000

$0.7600

$12,160.0000

32000

$0.6900

$22,080.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GC11N65M
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GC11N65M
GC11N65M
-
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 650
-
Лента и катушка (TR)
10500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядCool MOS™
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C11A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs360mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)78W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-263
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±30V
captcha

+86-15869849588
0