+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GCMS040B120S1-E1
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GCMS040B120S1-E1
GCMS040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
GCMS040B120S1-E1
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
SemiQ
SIC 1200V 40M M
-
Трубка
6588
1
: $33.5500
: 6588

1

$33.5500

$33.5500

10

$29.8100

$298.1000

100

$26.0700

$2,607.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GCMS040B120S1-E1
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GCMS040B120S1-E1
GCMS040B120S1-E1
-
SemiQ
SIC 1200V 40M M
-
Трубка
6588
YES
GCMS040B120S1-E1
SemiQ
1200V | 40mΩ SiC MOSFET and 10A SBD Copack in SOT-227
GCMS040B120S1-E1
SemiQ
327912
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSemiQ
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-227-4, miniBLOC
Тип монтажаChassis Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C57A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs52mOhm @ 40A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.)242W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 10mA
Пакет устройств поставщикаSOT-227
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)20V
ВГС (Макс)+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs124 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3110 pF @ 1000 V
captcha

+86-15869849588
0