+86-15869849588
  • image of Одиночные диоды>GP2D010A120C
  • image of Одиночные диоды>GP2D010A120C
  • image of Одиночные диоды>GP2D010A120C
  • image of Одиночные диоды>GP2D010A120C
GP2D010A120C
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
GP2D010A120C
Одиночные диоды
SemiQ
DIODE SIL CARB
-
Трубка
6500
1
image of Одиночные диоды>GP2D010A120C
image of Одиночные диоды>GP2D010A120C
image of Одиночные диоды>GP2D010A120C
GP2D010A120C
-
SemiQ
DIODE SIL CARB
-
Трубка
6500
YES
GP2D010A120C
SemiQ
碳化硅肖特基二极管裸芯片
GP2D010A120C
SemiQ
碳化硅肖特基二极管裸芯片
GP2D010A120C
SemiQ
碳化硅肖特基二极管裸芯片
GP2D010A120C
SemiQ
碳化硅肖特基二极管裸芯片
GP2D010A120C
SemiQ
碳化硅肖特基二极管裸芯片
GP2D010A120C
SemiQ
326302
GP2D010A120C
SemiQ
326303
GP2D010A120C
SemiQ
326304
GP2D010A120C
SemiQ
326305
GP2D010A120C
SemiQ
326306
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSemiQ
РядAmp+™
УпаковкаТрубка
Статус продуктаDISCONTINUED
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)0 ns
ТехнологииSiC (Silicon Carbide) Schottky
Емкость @ Вр, Ф635pF @ 1V, 1MHz
Ток – средний выпрямленный (Io)10A
Пакет устройств поставщикаTO-252 (DPAK)
Рабочая температура - соединение-55°C ~ 175°C
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)1200 V
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If1.8 V @ 10 A
Ток – обратная утечка @ Vr20 µA @ 1200 V
captcha

+86-15869849588
0