+86-15869849588
GP2T080A120H
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
GP2T080A120H
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
SemiQ
SIC MOSFET 1200
-
Трубка
6513
1
: $8.9400
: 6513

1

$11.2000

$11.2000

30

$8.9400

$268.2000

120

$8.0000

$960.0000

510

$7.0600

$3,600.6000

1020

$6.3500

$6,477.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GP2T080A120H
GP2T080A120H
-
SemiQ
SIC MOSFET 1200
-
Трубка
6513
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSemiQ
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-4
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.)188W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 10mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-4
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)20V
ВГС (Макс)+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs61 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1377 pF @ 1000 V
captcha

+86-15869849588
0