+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65005DF68
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65005DF68
GPI65005DF68
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8
GPI65005DF68
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GaNPower
GaNFET N-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
6950
1
: $2.5000
: 6950

1

$2.5000

$2.5000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65005DF68
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65005DF68
GPI65005DF68
-
GaNPower
GaNFET N-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
6950
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGaNPower
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5A
Vgs(th) (Макс) @ Id1.7V @ 3.5mA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs1.6 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds39 pF @ 500 V
captcha

+86-15869849588
0