+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65007DF88
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65007DF88
GPI65007DF88
GaNFET N-CH 650V 7A DFN8x8
GPI65007DF88
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GaNPower
GaNFET N-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
7000
1
: $3.9600
: 7000

1

$3.9600

$3.9600

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65007DF88
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65007DF88
GPI65007DF88
-
GaNPower
GaNFET N-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
7000
YES
GPI65007DF88
量芯微-GaNPower
氮化镓功率器件
GPI65007DF88
量芯微-GaNPower
303565
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGaNPower
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C7A
Vgs(th) (Макс) @ Id1.5V @ 3.5mA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.1 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds60 pF @ 500 V
captcha

+86-15869849588
0