+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65015DFN
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65015DFN
GPI65015DFN
GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
GPI65015DFN
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GaNPower
GANFET N-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
6680
: $7.5000
: 6680

1

$7.5000

$7.5000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65015DFN
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65015DFN
GPI65015DFN
-
GaNPower
GANFET N-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
6680
NO
GPI65015DFN
量芯微-GaNPower
分立器件
GPI65015DFN
量芯微-GaNPower
N-channel 650V 15A GaN Power HEMT in 8X8 DFN package
GPI65015DFN
量芯微-GaNPower
N-channel 650V15A GaN Power HEMT in 8X8 DFN package
GPI65015DFN
量芯微-GaNPower
431088
GPI65015DFN
量芯微-GaNPower
431089
GPI65015DFN
量芯微-GaNPower
431090
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGaNPower
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсDie
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C15A
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщикаDie
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs3.3 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds116 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0