+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65030TO5L
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65030TO5L
GPI65030TO5L
GaNFET N-CH 650V 30A TO263-5L
GPI65030TO5L
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GaNPower
GaNFET N-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
6586
1
: $15.0000
: 6586

1

$15.0000

$15.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65030TO5L
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65030TO5L
GPI65030TO5L
-
GaNPower
GaNFET N-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
6586
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGaNPower
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C30A
Vgs(th) (Макс) @ Id1.4V @ 3.5mA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs5.8 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds241 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0