+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65060DFC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65060DFC
GPI65060DFC
GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu
GPI65060DFC
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GaNPower
GaNFET N-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
6600
1
: $33.0000
: 6600

1

$33.0000

$33.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65060DFC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65060DFC
GPI65060DFC
-
GaNPower
GaNFET N-CH 6
-
Лента и катушка (TR)
6600
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGaNPower
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-DFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C60A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщика8-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs16 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds420 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0