+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI90010DF88
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI90010DF88
GPI90010DF88
GaNFET N-CH 900V 10A DFN8x8
GPI90010DF88
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GaNPower
GaNFET N-CH 9
-
Лента и катушка (TR)
9480
1
: $6.2500
: 9480

1

$6.2500

$6.2500

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI90010DF88
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI90010DF88
GPI90010DF88
-
GaNPower
GaNFET N-CH 9
-
Лента и катушка (TR)
9480
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGaNPower
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-DFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C10A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs162mOhm @ 2.5A, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщика8-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)900 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.6 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds78 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0