+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GSFAT0600
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GSFAT0600
GSFAT0600
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 60V
GSFAT0600
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Good Ark Semiconductor
MOSFET, N-CH, S
-
Лента и катушка (TR)
22285
1
: $0.1900
: 22285

1

$0.1900

$0.1900

10

$0.1300

$1.3000

100

$0.0700

$7.0000

500

$0.0600

$30.0000

1000

$0.0400

$40.0000

2000

$0.0300

$60.0000

4000

$0.0300

$120.0000

8000

$0.0300

$240.0000

12000

$0.0300

$360.0000

28000

$0.0200

$560.0000

100000

$0.0200

$2,000.0000

200000

$0.0200

$4,000.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GSFAT0600
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GSFAT0600
GSFAT0600
-
Good Ark Semiconductor
MOSFET, N-CH, S
-
Лента и катушка (TR)
22285
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGood Ark Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-523
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C300mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)150mW (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-523
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs0.44 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds50 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0