+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT011N03D5E
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT011N03D5E
GT011N03D5E
MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
GT011N03D5E
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH ESD
-
Лента и катушка (TR)
11487
1
: $0.6200
: 11487

1

$1.5800

$1.5800

10

$1.2900

$12.9000

100

$1.0000

$100.0000

500

$0.8500

$425.0000

1000

$0.6900

$690.0000

2000

$0.6500

$1,300.0000

5000

$0.6200

$3,100.0000

10000

$0.5900

$5,900.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT011N03D5E
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT011N03D5E
GT011N03D5E
-
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH ESD
-
Лента и катушка (TR)
11487
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C209A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.)89W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-DFN (4.9x5.75)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±16V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs98 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6503 pF @ 15 V
captcha

+86-15869849588
0