+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT016N10TL
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT016N10TL
GT016N10TL
MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
GT016N10TL
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
8500
1
: $1.6000
: 8500

2000

$1.6000

$3,200.0000

14000

$1.4700

$20,580.0000

28000

$1.3300

$37,240.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT016N10TL
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT016N10TL
GT016N10TL
-
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
8500
YES
GT016N10TL
谷峰-GOFORD
Trench Mosfet
GT016N10TL
谷峰-GOFORD
453307
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerSFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C362A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.6mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)450W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTOLL
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs165 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds10037 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0