+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT025N06AM
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT025N06AM
GT025N06AM
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
GT025N06AM
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
N60V,170A,RD<2.
-
Лента и катушка (TR)
7288
1
: $0.9500
: 7288

1

$1.7000

$1.7000

10

$1.4100

$14.1000

100

$1.1300

$113.0000

800

$0.9500

$760.0000

1600

$0.8100

$1,296.0000

2400

$0.7700

$1,848.0000

5600

$0.7400

$4,144.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT025N06AM
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT025N06AM
GT025N06AM
-
Goford Semiconductor
N60V,170A,RD<2.
-
Лента и катушка (TR)
7288
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядSGT
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C170A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)215W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-263
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs70 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds5119 pF @ 30 V
captcha

+86-15869849588
0