1
$1.4900
$1.4900
10
$1.2400
$12.4000
100
$0.9800
$98.0000
500
$0.8300
$415.0000
1000
$0.7100
$710.0000
2000
$0.6700
$1,340.0000
5000
$0.6500
$3,250.0000
10000
$0.6300
$6,300.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 103A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 178W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFN (4.9x5.75) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5326 pF @ 30 V |
