+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT088N06T
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT088N06T
GT088N06T
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
GT088N06T
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 60V
-
Трубка
56500
1
: $0.3300
: 56500

2000

$0.3300

$660.0000

6000

$0.3200

$1,920.0000

16000

$0.3200

$5,120.0000

30000

$0.3000

$9,000.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT088N06T
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT088N06T
GT088N06T
-
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 60V
-
Трубка
56500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядSGT
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs9mOhm @ 14A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)75W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
captcha

+86-15869849588
0