+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT400P10M
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT400P10M
GT400P10M
MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
GT400P10M
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
7283
1
: $0.9500
: 7283

1

$1.7000

$1.7000

10

$1.4100

$14.1000

100

$1.1200

$112.0000

800

$0.9500

$760.0000

1600

$0.8100

$1,296.0000

2400

$0.7700

$1,848.0000

5600

$0.7400

$4,144.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT400P10M
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT400P10M
GT400P10M
-
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 100
-
Лента и катушка (TR)
7283
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs35mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)106W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-263
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs41 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3073 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0