+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>HCT802TXV
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>HCT802TXV
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>HCT802TXV
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>HCT802TXV
HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
HCT802TXV
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
TT Electronics / Optek Technology
MOSFET N/P-CH 9
-
Масса
6500
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>HCT802TXV
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>HCT802TXV
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>HCT802TXV
HCT802TXV
-
TT Electronics / Optek Technology
MOSFET N/P-CH 9
-
Масса
6500
NO
Параметры продукции 
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTT Electronics / Optek Technology
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс6-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
КонфигурацияN and P-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.500mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)90V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C2A, 1.1A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds70pF @ 25V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 1mA
Пакет устройств поставщика6-SMD
captcha

+86-15869849588
0