+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE10N60FP
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE10N60FP
ICE10N60FP
Superjunction MOSFET
ICE10N60FP
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
7000
: $1.7300
: 7000

50

$1.7300

$86.5000

250

$1.6200

$405.0000

500

$1.4800

$740.0000

1000

$1.3600

$1,360.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE10N60FP
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE10N60FP
ICE10N60FP
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
7000
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs330mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)35W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220 Full Pack
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs41 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1250 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0