+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70
ICE11N70
Superjunction MOSFET
ICE11N70
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
6600
: $3.4200
: 6600

50

$3.4200

$171.0000

1000

$3.2000

$3,200.0000

5000

$2.9300

$14,650.0000

15000

$2.7000

$40,500.0000

25000

$2.5000

$62,500.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70
ICE11N70
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
6600
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C11A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)108W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)700 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs85 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2750 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0